Две компании Toshiba и SanDisk стали партнерами в области производства NAND-памяти в 3D формате. Она должна будет во много раз увеличить производительность и объем накопителей SSD. По сообщениям от Toshiba, планируется задействовать ее японский завод Fab 2. Именно здесь компании хотят установить необходимое оборудование, которое бы вырабатывало новые кремниевые подложки. В свою очередь, компанией SanDisk будут представлены разработки в области 3D NАND.
По сообщениям компаний, уже в 2016 году планируется запуск полномасштабного коммерческого производства памяти. Это период, когда рынок должен достичь объемов в 4,8 миллиарда долларов.
Компании уверены, что 3D NAND поможет осуществить выпуск SSD-накопителей емкостью более 1 терабайта памяти. Напомним, что нынешние накопители, в большинстве своем, имеют емкость в 128 Гб. Если верить заявлениям обеих компаний, то на NAND-память они возлагают большие надежды и полагают, что создают будущие системы хранения данных.
Гендиректор компании Toshiba Semiconductor & Storage Ясуо Наруке отмечает, что модули 3D-памяти NAND могут быть вертикально оснащены множеством кластеров памяти. Это большой прогресс, так как сегодняшние чипы NАND – плоские.
Впервые экспериментальные образцы 3D NAND были выпущены в прошлом году компанией Samsung. Если судить по терминологии компании, то чипы имели название V-NAND. По сообщениям Samsung, дополнительные объемы хранения могут быть 10-кратными по сравнению с сегодняшними чипами памяти. Компания Samsung использует специальную технологию 3D Chаrgе Traр Flаsh и 20-нанометровые чипы для того, чтобы стекировать слои.
О технологиях производства компании Тоshibа и SаnDisk ничего не сообщают. Однако по их замыслу они должны быть похожими на рыночные тренды.