Чипы 3D NAND от Samsung уже в массовом производстве

Чипы 3D NAND от Samsung
Компания Samsung проинформировала о том, что она начинает массовое изготовление чипов памяти, которые разработаны на основе «слоеной» технологии и предусматривающих распределение ячеек памяти на одной микросхеме. Стоит отметить, что на базе таких чипов в скором времени планируется создать NAND-память нового поколения с повышенной производительностью и объемом.

Представительство компании заявило, что текущие «плоские» чипы памяти они продолжат маркировать как NAND, а новые будут называться V-NAND или 3D-NAND. Предполагается, что в 1-ую очередь чипы нового образца будут использоваться в интегрированной памяти и SSD-накопителях. Емкость памяти таких чипов будет варьироваться от 128 Гб до одного Тб, в зависимости от конкретных девайсов.

Заметим, что 3D-NAND на данный момент выпускается по 25-нм стандарте, однако за счет слоеной расстановки ячеек, чипы могут вмещать в 2-3 раза больше информации, чем их предшественники – «плоские» чипы. Помимо этого 3D-NAND в 10 раз имеет более быстрое прочтение информации.

В Samsung утверждают, что их методика памяти NAND позволяет увеличить эффективность чипа и уменьшения его параметров. На базе чипов нового поколения лежит разработка вертикальных интерконнектов и технология 3D Charge Trap Flash (CTF).

Эксперты компании сообщают, что новые чипы на одном заданном диаметре могут размещать до 24 так называемых «этажей» ячеек памяти. В перспективе компания собирается увеличить эти цифры до 32, после до 64 и т.д.

В Samsung говорят, что трехмерные чипы имеют свои физические ограничения, однако они вряд ли будут достигнуты в ближайшее время.

Отметим, что сам по себе стиль 3D чипов похож на внешний вид чипов со стандартом 40- или 50-нм, но тут эксплуатируются изоляторы, применяемые для разработки «многоэтажных» чипов.

Hardware 14 августа 2013

Отзывы на Чипы 3D NAND от Samsung уже в массовом производстве: